VISHAY半導(dǎo)體 MOSFET

 

VISHAY功率 MOSFET 已成為標(biāo)準(zhǔn)選擇用于低壓 (<200 V) 開關(guān)模式的主開關(guān)器件電源 (SMPS) 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。選擇VISHAY  MOSFET 的主要標(biāo)準(zhǔn)是功率與VISHAY  MOSFET 相關(guān)的損耗（與整體SMPS的效率）和功耗能力VISHAY MOSFET的（與最大結(jié)溫有關(guān)和封裝的熱性能） 。影響閘機(jī)的因素有很多VISHAY MOSFET，有必要了解其基本原理VISHAY MOSFET行為之前的器件結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)可以被解釋。本應(yīng)用筆記詳細(xì)介紹了基本結(jié)構(gòu)溝槽VISHAY  MOSFET 結(jié)構(gòu)，識別寄生組件和定義相關(guān)術(shù)語。VISHAY  MOSFET 具有多種拓?fù)?、開關(guān)速度、負(fù)載電流和可用的輸出電壓，VISHAY  MOSFET 已成為無法確定提供最佳性能的通用 MOSFET在廣泛的電路條件下的性能。VISHAY  MOSFET 在在某些情況下，導(dǎo)通電(rDS(on)) 損失占主導(dǎo)地位，而在其他情況下，VISHAY  MOSFET 是開關(guān)損耗瞬態(tài)電流和電壓波形，或損失與驅(qū)動器件的柵極相關(guān)聯(lián)。VISHAY  MOSFET 輸入和輸出電容可以是占主導(dǎo)地位的損失。

 

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IRF510

IRF510S, SiHF510S

IRF520

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IRF640S, SiHF640S, SiHF640L 張曼麗
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