Nidec 常溫晶片接合裝置技術(shù)參數(shù)

引進(jìn)設(shè)備的優(yōu)勢(shì)：

通過無熱變形的接合大大提高了產(chǎn)量。

由于可以接合各種類型的材料，因此大大擴(kuò)展了器件設(shè)計(jì)的自由度。

由于沒有熱變形，器件可以做得更小更薄，并且可以提高每枚晶片的產(chǎn)量。

強(qiáng)接合可限度減少接合面積并提高每枚晶片的產(chǎn)量。

由于是直接接合，因此無需使用樹脂或金屬作為中間材料，可以降低成本。

無需特殊的實(shí)用程序，并且可以將運(yùn)行成本保持在較低水平。


 

常溫接合廣泛用于以下幾類：

晶片級(jí)封裝

特別對(duì)于MEMS和晶體器件，我們可以通過無熱變形的封裝來提高器件質(zhì)量并降低成本。

功能性晶片的制造

通過接合不同材料的裸晶片，可以制造出各種功能性晶片。

直接接合的應(yīng)用

不使用樹脂、合金等中間材料，直接接合，因此器件特性得到改善。

此外，中間材料的成本可以降低到零。

晶片堆疊

可以將硅通孔 (TSV) 的晶片多層接合，從而用于制造 3D 集成器件。

不加熱，可確保器件的可靠性。

此外，由于沒有熱變形，可以將器件的內(nèi)應(yīng)力降至。

沈陽漢達(dá)森YYDS邊慶杰

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